文 | 半导体产业纵横
2026 年的半导体圈，正在上演一场现实版的 「抢椅子」 游戏。而搅动这场战局的核心变量，正是 AI 引爆的存储需求。
逻辑变了！存储厂成 EUV 大买家
在这一轮游戏中，光刻机便是这把 「椅子」。
近日，存储芯片大厂 SK 海力士宣布将在 2027 年 12 月 31 日前向荷兰 ASML 采购价值 11.95 万亿韩元 （约 79.7 亿美元） 的极紫外光 （EUV） 光刻机，旨在应对日益增长的内存芯片需求。该交易已作为正式披露文件提交给韩国监管机构，并成为近年来 ASML 客户公开的最大一笔 EUV 光刻机采购订单。
根据预计，SK 海力士采购的这些 EUV 光刻机将主要用于先进 DRAM 芯片和 HBM 芯片的生产。主要会部署在两个晶圆厂：一个是 SK 海力士位于龙仁的新晶圆厂，该晶圆厂计划于 2027 年 2 月投产；另一个则是位于清州的 M15X 工厂，该晶圆厂专门用于生产高带宽内存芯片。
伯恩斯坦公司的分析师戴维·道则预计，SK 海力士的这份订单将使得其在两年内新增约 30 台 EUV 光刻机。这略高于其之前预测的 SK 海力士两年内将采购 26 台 EUV 光刻机的数量。
无独有偶，存储龙头三星也传出了大举采购光刻机的动作。韩国媒体 Sedaily 援引知情人士的消息报道称，三星电子已确定向光刻机大厂 ASML 和佳能订购了约 70 台光刻机，总金额高达 10 万亿韩元 （约 67 亿美元），其中包含 20 台 EUV 光刻设备。不过三星方面随后回应称，该消息并不属实，公司至今尚未作出相关决策。
尽管三星的采购传闻未得到证实，但这一消息本身就折射出当前半导体行业对光刻机的迫切需求。
决战 1c 节点的胜负手，压给光刻机
在探究三星、SK 海力士两大存储龙头大举采购 EUV 光刻机的战略逻辑前，需先系统梳理五大核心影响因素，这些因素直接决定了两家企业的采购规模、节奏及行业后续格局：
第一，两大巨头当前 EUV 光刻机保有量。
第二，两家公司 1c DRAM 现有产能基数、2026 年底规划产能的落地路径及产能爬坡节奏。
第三，不同生产制造能力带来的市场竞争力差异。
第四，ASML 的 EUV 产能供给能力、交付周期及现有订单积压情况，能否匹配两大龙头的扩产需求。
第五，是否需要警惕 2028 年产能集中释放导致的过剩风险？
以下是关于上述五点的具体分析：
- 存储双雄 EUV 光刻机保有量
日前，调研机构 BOFA 公布了 2021 到 2025 年为止的 EUV 光刻机数量，如下所示：
如图所示，三星的 EUV 光刻机持有量已超过 SK 海力士的两倍，这一设备数量优势直接映射到产能层面——在存储芯片制造中，光刻机部署密度是先进制程产能释放的核心约束条件，而多层 EUV 光刻更是 10nm 级以下工艺量产的核心前提。2026 年作为全球 DRAM 行业的 「1c 节点爆发年」，这场制程微缩竞赛已全面迈入第六代 10nm 级 1cDRAM 时代，成为 AI 算力爆发背景下高端内存供给的核心战场。
当下，三星和 SK 海力士都已释放扩产 1c DRAM 的核心信息。
- 1c DRAM 现有产能基数
根据规划，三星 1c DRAM 产能将在 2025 年第四季度率先达到每月 6 万片产能，2026 年第二季度再新增 8 万片产能，并于 2026 年第四季进一步扩增 6 万片，届时整体月产能达到 20 万片。具体的时间节点以设备完成安装为基准，目标是在上述各个阶段具备立即量产条件。知情人士指出：「三星将在明年底前持续强化 1c DRAM 的供给能力，意在提前卡位下一代市场。」
SK 海力士方面，据韩国媒体报道，SK 海力士计划 2026 年将 1c DRAM 月产能从目前约 2 万片 300mm 晶圆提升至 16 万至 19 万片，增幅达 8 至 9 倍，占其 DRAM 总产能的三分之一以上。据悉，SK 海力士已将 1c DRAM 的良率提升至 80% 以上，该制程主要用于制造 DDR5、LPDDR 和 GDDR7 等最新通用 DRAM 产品。扩产后的 1c DRAM 将主要用于满足英伟达等大型科技公司的订单需求。这一战略调整反映出 AI 推理应用对成本效益更高的通用 DRAM 需求激增，该公司正将战略重心从 HBM 扩展至更广泛的 AI 内存市场。
分析指出，相比需要复杂堆叠工艺的 HBM，1c DRAM 的生产效率更高，能够更快速响应市场需求的爆发式增长。
HBM 是 3D 堆叠+系统级集成方案，需通过 TSV 硅通孔、超薄减薄、多层键合及 CoWoS 等先进封装技术，将多颗 DRAM Die 与基片垂直整合，技术链路极复杂。1cDRAM 则是 DRAM 制程的迭代升级，核心是通过 4F²单元架构、EUV 曝光优化实现单 Die 密度提升与良率改善，无需重构产线，直接复用现有 DRAM 成熟产线即可量产。
相较于 HBM，1c DRAM 主打通用化、规模化供给，是 AI 服务器、移动终端的核心基础，同时也是 HBM4/HBM4E 的最佳核心片。SK 海力士已明确，将基于第六代 10nm 级 1c 制程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 内存。三星同样在推进相关布局，其研发的 12 层堆叠 （12-Hi）、16 层堆叠 （16-Hi）HBM4 产品，均会采用 1c DRAM 技术。
三星在 2026 年 2 月宣布，已率先达成 HBM4 的量产，并向全球最大 AI 芯片公司英伟达发货。 该 HBM4 将搭载于英伟达最新 Rubin GPU 中。市场预计，Rubin GPU 将于 2026 年下半年正式出货，以供应给谷歌、亚马逊等美国科技大厂，并带来超过 1 万亿美元的市场规模。与此同时，三星也在配合 Rubin GPU 上市节奏，扩大华城 H3 工厂 17 线，以及平泽 P3、P4 工厂的 HBM4 产能。
去年 9 月，SK 海力士完成 HBM4 开发，但随后在去年 12 月，SK 海力士宣布 HBM4 的量产已推迟至 2026 年 3 月或 4 月，HBM4 产能大幅扩张的时间也进行了灵活调整。SK 海力士决定至少在 2026 年上半年之前，保持 HBM3E 在所有 HBM 产品中最高的产量占比。据悉，SK 海力士在与英伟达讨论 2026 年 HBM 的产量时，大幅增加了 HBM3E 的产量。
- 不同生产制造能力带来的市场竞争力差异
2025 年第一季度，SK 海力士占据了全球 DRAM 市场 36% 的份额，略高于三星电子的 34% 和美光的 25%。这也是 SK 海力士自 1983 年成立以来首次在全球存储器市场占据主导地位。
随后在 2025 年第三季度，三星电子 DRAM 销售额达到 139.42 亿美元，环比增长 29.6%，市场份额回升至 34.8%，重新夺回行业榜首。同期 SK 海力士以 137.9 亿美元的销售额位居第二，市场份额为 34.4%，与三星电子的差距仅为 0.4 个百分点。
三星电子业绩的反弹，得益于是制造端两大关键能力的集中释放：一是 HBM 高端产能的快速爬坡与精准交付。该公司第三季度 HBM 位单元出货量环比激增 85%，主要由于开始向英伟达交付第五代 HBM3E 产品。二是通用 DRAM 产能的弹性调控与价格主导力。人工智能数据中心对内存需求的爆发式增长，导致 PC 和智能手机等消费级 IT 设备的 DRAM 供应趋紧，进一步推高了产品价格。
- ASML 的 EUV 产能供给能力
反过来思考，SK 海力士敲定 30 台 EUV 订单、三星或可能采购 20 台的情况下，ASML 的产能能否跟上？在此之前，先来看一组 ASML 历年光刻机的出货量数据。
上图可见，2023 年、2024 年、2025 年，ASML 的 EUV 光刻设备数量分别为 53 台、44 台和 48 台。从这组数据中，首先能捕捉到两个核心信息：一是 ASML 的 EUV 年出货量始终维持在 40-55 台的区间，产能释放呈现 「缓慢线性增长」 的特征，并未出现爆发式提升——这与 EUV 设备的制造复杂度直接相关，一台 EUV 集成超过 12 万个高精度零部件，依赖德国蔡司的光学系统、美国 Cymer 的极紫外光源等全球独家供应商，任何一个环节的产能瓶颈都会限制整体出货。
二是 2024 年出货量较 2023 年有所下滑，2025 年虽有回升但未突破 2023 年峰值，这背后既有 ASML 产能调整的因素，也反映出前两年行业扩产潮后，部分企业进入产能消化期，而 2025 年的回升则与 AI 驱动下高端存储、先进逻辑芯片的需求复苏直接相关。
SK 海力士的采购计划具备明确的产能落地支撑。上文提到，这批设备将分别部署在清州 M15X 工厂和在建的龙仁半导体集群，其中龙仁基地的首座洁净室启用时间已从 2027 年 5 月提前至 2027 年 2 月，与设备交付节奏高度匹配。若三星也计划采购 20 台 EUV，且同样计划在 2027 年底前交付，那么 SK 海力士与三星的订单合计将达到 50 台，占 ASML 两年产能的一半以上，这将大幅挤压台积电、英特尔等其他头部客户的产能配额。
还需注意的是，日前 ASML 在财报中写道，截至 2025 年底，公司积压在手订单达 388 亿欧元，其中 EUV 系统积压订单达 255 亿欧元，占比 65%。其中或许包含 SK 海力士的已下订单，因此倘若三星和 SK 海力士均在当下向 ASML 追加大量 EUV 订单，短期内也难以获得充足的产能配额。
- 2028 年，产能过剩？
据韩国媒体报道，三星内部预计本轮存储短缺将于 2028 年前后趋于缓解，并据此校准投资节奏，以避免重蹈过度扩张的覆辙。与此同时，SK 海力士亦多次公开表态，将以实际需求而非乐观预期作为扩产依据。然而 EUV 光刻机的产能存在硬约束，当下不抢购，未来几年将彻底失去高端赛道的竞争力。
因此，三星与 SK 海力士当下大量采购 EUV 光刻机，与警惕 2028 年产能过剩并不矛盾。警惕 2028 年过剩，是着眼于远期的风险防控；而现在抢购 EUV，则是应对近期市场刚需、应对行业竞争、推进产品结构升级的必然选择。
DRAM 技术下一步，该抢什么？
长期以来，DRAM 的密度提升高度依赖于制程微缩，这使得对 EUV 等高端光刻机的投入成为刚性需求。
随着 3D 堆叠存储的发展，3D NAND 为提升存储密度，将存储单元垂直堆叠，层数不断增加，目前主流产品已超过 300 层，未来还将向 1000 层迈进。DRAM 未来也有类似的 3D 堆叠层数的技术路线图。这种技术路径的转变，意味着厂商对光刻精度的极致追求将有所放缓，进而削弱对 EUV 光刻机的需求。
相应的对刻蚀设备的需求量和性能要求呈指数级增长，比如从 32 层提高到 128 层时，刻蚀设备用量占比从 35% 提升至 48%。此外，近存计算方案的发展增加了 TSV 刻蚀需求，TSV 工艺中刻蚀和填充设备占比接近 70%，进一步增加了刻蚀设备的需求。同时，3D NAND 堆叠层数不断增加，每层薄膜厚度要求严苛，ALD 与 CVD 协同工艺成为主流，这都对薄膜沉积设备提出了更高要求。
因此，半导体制造的未来重点，或将从单纯依靠光刻机缩小特征尺寸，转向更复杂关键的刻蚀与薄膜沉积工艺。DRAM 对光刻机的依赖程度，也将明显低于当前水平。