新华财经北京 5 月 25 日电 （康耕甫）25 日，华为公司正式提出 「韬 （τ） 定律」，这是中国在全球半导体领域首次提出指导产业发展的新原则。受此影响，年内已大幅上涨的存储芯片板块再度迎来爆发，多只概念股涨停，寒武纪、兆易创新等龙头盘中创历史新高，截至收盘，中芯国际总市值已达 1.25 万亿元。
国内存储芯片市场的强势表现，与行业周期反转、AI 需求爆发、国产化加速等因素共振有关。事实上，经过多年技术攻坚，长鑫存储、长江存储等国产存储芯片已实现从追赶到并跑的跨越，核心技术与国际巨头差距持续缩小。今年 5 月，两大国产存储龙头均迎来关键资本节点，长鑫存储将于 5 月 27 日上会，长江存储也正式启动 IPO 辅导。
多家券商研报显示，存储行业产生了结构性超级周期，产品紧缺或延续至 2027 年甚至更久。目前，全球存储芯片产业格局中，国产企业在中高端市场正在加速替代，低端市场凭借成本优势填补缺口实现全面主导，在政策扶持、技术突破、产能释放等多重因素驱动下，行业正进入加速突破期。
寒武纪等续创新高 中芯国际市值破 1.2 万亿
2026 年 5 月以来，全球存储芯片板块呈现 「国内外联动、龙头领涨、全线爆发」 的强势格局，A 股相关概念股持续领跑市场，海外存储巨头股价也同步创下历史新高，行业景气度获得资本市场高度认可。
截至 5 月 25 日收盘，东芯股份、商洛电子、华虹公司股价 「20cm」 涨停，长电科技、通富微电、华天科技等公司股价 「10cm」 涨停，中芯国际、云汉芯城、华大九天、精测电子、国科微等公司股价涨幅超过 10% 创新高。
其中，龙头公司股价接连突破历史高位，兆易创新 25 日收盘收于 515.60 元／股，涨幅 10%，触及涨停并再度刷新新高，总市值突破 3600 亿元；中芯国际盘中也创下 157.6 元／股的历史新高，截至收盘，公司总市值来到 1.25 万亿元，继续位居半导体板块首位；寒武纪股价也创下 1435 元／股的历史新高。
今天存储芯片概念的继续爆发与华为公司提出的 「韬 （τ） 定律」 密切相关。「韬定律」 提出以 「时间缩微」 替代 「几何缩微」，以系统性降低时间常数 （韬τ） 为目标，通过逻辑折叠等创新技术，持续压缩信号传播时延，不断提升晶体管密度，实现半导体与电子系统的持续演进。
这是中国在全球半导体领域首次提出指导产业发展的新原则。基于该定律，华为过去六年已成功设计并量产了 381 款芯片。「韬定律」 构建了贯穿器件、电路、芯片到系统层面的多层级协同优化体系。华为预计到 2031 年，基于该定律的高端芯片晶体管密度将达到 1.4 纳米制程的同等水平。
而 5 月份以来，大普微-UW 股价已上涨 160.06%，位居板块首位，国科微、同有科技、长电科技涨幅分别为 86.87%、82.32%、75.97%，117 家存储芯片概念股中有 18 家公司涨幅超过 50%，108 家公司股价实现正增长。
如果从年内来看，存储芯片概念股中已有 28 家公司股价实现翻倍，63 家股价涨幅大于 50%，101 家股价正增长。存储芯片指数年内上涨 62.75%，远超同期大盘的 4.63%，成为半导体产业链中最具赚钱效应的细分赛道。从资金流向来看，半导体资金持续向存储赛道集中，市场正在形成 「业绩驱动-资金涌入-股价上涨」 的正向循环。
全球来看，海外存储芯片巨头同样迎来股价与业绩的双重爆发，三星、SK 海力士及美光三大全球龙头，2026 年一季度业绩均大幅超预期，股价同步创下历史新高，带动全球存储板块行情共振。
政策、产业、周期共振 共同推动行业景气度持续攀升
综合来看，国内存储芯片市场的强势表现，核心源于三大逻辑共振：一是行业周期反转，2025 年全球存储行业减产超 30%，库存降至历史低位，2026 年供需缺口持续扩大，价格进入上行通道；二是 AI 需求全球爆发，AI 服务器、大模型训练带动 HBM、企业级 SSD 需求激增，成为行业增长核心引擎；三是国产化加速，国内政策大力扶持，长鑫存储、长江存储产能释放，A 股存储企业迎来业绩与估值双重提升。
国家层面，政府持续出台专项政策，构建全方位存储产业扶持体系，为国产替代提供坚实政策保障。4 月份，国家发改委等部门发布 《关于做好 2026 年享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作的通知》，明确线宽小于 28 纳米的存储企业可享受十年免征企业所得税的优惠政策，大幅降低头部厂商运营成本，助力产能快速释放。
今年 5 月，国家发改委在月度新闻发布会上明确，十五五新型算力基础设施投资预计超 5 万亿元，存储作为算力底座将获得重点支持，重点推进 AI 存储、企业级 SSD、HBM 等高端产品研发与产业化。在此前，国家集成电路产业投资基金三期已完成募资，规模超 3000 亿元，重点投向存储芯片、先进制程、半导体设备等核心领域，为国产存储企业扩产与研发提供资金支撑。
地方政府也同步跟进扶持政策，上海、北京、合肥等半导体产业集聚地，出台存储产业专项补贴政策，对长鑫存储、长江存储等龙头企业的产能扩建项目给予高额度设备补贴，对存储芯片设计企业的研发投入给予大幅税收优惠，构建 「国家+地方」 协同扶持格局。此外，工信部也明确提出了国内 DRAM、NAND 的自给率提升目标，清晰指出了产业发展方向。
国外市场方面，2026 年以来，三星、SK 海力士、美光也连续上调存储芯片价格，且明确三季度将继续提价，行业涨价周期持续延长。TrendForce 预测数据显示，2026 年二季度一般型 DRAM 内存的合约价将环比上涨 58%-63%，而 NAND 闪存合约价则会环比上涨 70%-75%。
同时，海外巨头也在调整产能结构，将 70% 以上先进产能转向 HBM、DDR5、企业级 SSD 等高毛利 AI 专用产品，大幅缩减消费级 DRAM/NAND 产能。美光已停掉部分消费级产品线，核心客户供应仅满足一半至三分之二，进一步加剧普通存储供需紧张局面。此外，三大巨头 HBM 产能全部售罄，订单排至 2027 年，高端 AI 存储供不应求格局持续强化。
此外，消费电子、汽车电子等行业需求复苏，也共同提振存储行业的景气度回升。2025 年全球智能手机、PC 等消费电子市场持续回暖，2026 年延续复苏态势，带动中低端 DRAM、NAND 需求稳定增长。汽车行业自动驾驶、智能座舱对车载存储需求激增，也助力全球车载存储市场成为存储的新增长极。
两大国产龙头冲刺 IPO 行业进入加速突破期
事实上，经过多年技术攻坚，国产存储芯片已实现从追赶到并跑的跨越，核心技术与国际巨头差距持续缩小。公开资料显示，长鑫存储芯片核心性能与国际一线产品差距不足 5%，成功实现高端 DRAM 产品自主可控；长江存储是国内唯一 3D NAND 存储芯片厂商，其自主研发的 Xtacking 架构已实现 232 层以上堆叠 3D NAND 量产，性能比肩三星、SK 海力士旗舰产品。
今年 5 月，两大国产存储龙头迎来关键资本节点。长鑫存储 5 月 27 日上会，长江存储正式启动 IPO 辅导，这是国产存储十年以来最大的资本事件，标志着国产存储产业进入资本化发展新阶段。
长鑫存储近日更新的科创板 IPO 招股书显示，今年一季度公司实现营收 508 亿元，实现归母净利润 247.62 亿元，单季盈利已超过科创板全部上市公司的归母净利润总和 （剔除中芯国际、华虹公司、百济神州等多地上市红筹企业）。长江存储也同步实现高增长，2026 年一季度营收同比增长超 200%，3D NAND 出货量全球占比提升至 15%，成为全球第三大 NAND 厂商。两大龙头 IPO 落地后，预计将募资超千亿元，用于产能扩建与技术研发，进一步缩小与国际巨头的产能差距。
中信证券认为，需求端来看，AI 推理驱动 eSSD 成为 NAND 第一大下游 （2026 年占比 37%）；HBM 容量 2025/2026 年同比增长 90%、35%；供给端高端 DRAM 产能占比 2026 年超过 85%，消费级被挤压；库存降至 4 周 （历史安全线以下）；DRAM/NAND 价格 2026 将全年维持上涨。国产中长江存储／长鑫存储正在加速追赶，存储进入长周期范式转移 （超级成长，非周期反弹），供不应求至少持续至 2027 年底，涨价贯穿 2026 全年。
招商证券研报也显示，需求侧 AI 推理→Agentic AI→Physical AI 三阶段拉动存储行业增长；2026 年全球九大云厂商资本开支 8300 亿美元，同比增长 79%；供给侧行业扩产周期为 18–24 个月，并且 2027 年前无大规模新增产能，HBM 订单已排至 2027 年，产能全售罄。AI 驱动存储行业产生结构性超级周期，产品紧缺或延续至 2027 年甚至更久。
目前，全球存储芯片产业格局中，中高端市场国外厂商技术、产能、生态等优势短期难以打破，但国产企业正在加速替代，成为全球重要参与者；低端市场国际巨头又减产，国产企业凭借成本优势填补缺口实现了全面主导。在政策扶持、技术突破、产能释放等多重因素驱动下，国产存储芯片正进入加速突破期。
编辑：胡晨曦
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