新华财经北京 8 月 3 日电 （陆宇安 桂榕）2026 年以来，从手机到电脑，消费电子市场正经历一轮由存储芯片驱动的全面涨价。OPPO、vivo、苹果、微软等主流品牌先后调价，主流中端手机机型普遍提价 300 至 1000 元，部分专业数码产品涨幅超过 3000 元。行业普遍认为，此轮涨价核心是 AI 算力需求爆发 「虹吸」 先进存储产能，各大存储厂商将多数产能投向高附加值 AI 存储，消费级供给收缩，存储价格暴涨直接传导至终端。对于后续走势，机构研判出现一定分歧——多家机构判断高价格局至少延续至 2027 年，也有观点认为价格见顶时间可能早于预期。
消费电子产品价格上涨
年内这轮涨价从手机产品开始。2026 年 3 月 10 日，OPPO 公告自 3 月 16 日起对 A 系列、K 系列及一加部分已发售机型调价；3 月 16 日，vivo 发布 《关于 vivo 及 iQOO 部分产品建议零售价调整的说明》 称，受全球半导体及存储成本持续大幅上涨的影响，上调部分产品建议零售价。
记者梳理发现，华为 Nova16 系列产品较上一代 Nova15 系列对应产品起售价上涨 300 元至 500 元；一加 15 系列等机型经历两轮调价，累计涨幅在 400 元至 1100 元；荣耀、OPPO、vivo、华为等品牌部分新一代中端机价格较上一代普遍上涨 300 元至 1000 元。
涨价很快传导至电脑端。2026 年 6 月 25 日，苹果对 MacBook、iPad 全系实施全球涨价，中国市场整体涨幅约 15% 至 25%。其中，Mac Studio 涨幅最高，涨价 3500 元。目前，中国市场 iPhone、Apple Watch、AirPods 未参与调价。随后，微软宣布自 8 月 1 日起调整 Xbox 主机全球价格，512GB 版上涨 100 美元，1TB 版上涨 150 美元，停产 2TB 版本。
业内人士指出，涨价或将抑制消费需求。7 月，全球性市场研究公司 Counterpoint Research 发布的初步数据显示，2026 年第二季度全球智能手机出货量同比下滑 11%，创 2013 年以来同期最低。该机构还维持全年出货量下滑约 14% 的预测，并将市场大幅下滑的核心诱因归结为移动存储供应严重紧张。
终端产品价格上涨也传导至消费电子上游零部件企业。业内人士指出，为控制整机成本，终端品牌为了优先保障 SoC（系统级芯片）、存储等核心配置，对面板、镜头等非核心零部件降规或减少采购。
深天马 A 在 2026 年半年度业绩预告中称，预计公司上半年归母净利润亏损 7.20 亿元至 7.50 亿元，上年同期为盈利 2.06 亿元。公司在互动平台回答投资者提问时表示，2026 年上半年，存储等电子元器件价格持续快速上涨，对消费电子终端需求和成本带来阶段性压力，是上半年公司相关业务经营承压的主要原因。
AI 算力需求 「虹吸」 存储产能
市场普遍认为，年内消费电子涨价的核心推手，是 AI 服务器需求爆发带来的存储芯片产能结构性转移。与过往由消费电子需求复苏带动的存储周期不同，本轮涨价的核心逻辑在于：AI 算力对高附加值存储产品产生 「虹吸效应」，直接挤压了消费级存储产品的供给空间，导致相关存储产品价格一路飙升，最终传导至手机、电脑等终端产品。
集邦咨询 （TrendForce） 数据显示，2026 年第一季度，通用型 DRAM（动态随机存取存储器） 合约价格环比增长 93%-98%，第二季度环比增长 58%-63%；NAND（闪存颗粒） 合约价格一季度环比增长 55%-60%，第二季度环比增长 55%-60%。
全球半导体观察 （DRAMeXchange） 数据显示，2026 年 6 月通用 PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8） 平均固定交易价格升至 21 美元。自 2016 年 6 月该机构开始追踪此项数据 （当时的价格为 2.9 美元） 以来，涨幅已超过六倍，创下历史新高。
微软在宣布 Xbox 主机涨价时明确指出，目前游戏主机所用存储和内存的价格已上涨 2.5 倍以上，公司预计到 2027 年秋季价格还会翻一番，成本压力已无法通过内部消化承担。
近日，SK 海力士披露的 2026 年第二季度 DRAM 平均售价环比上涨约 30%，NAND 平均售价环比上涨约 55%。SK 海力士预计，2026 年全球 DRAM 的需求量同比增速将达到约 25%，NAND 需求量增速将达到约 16%-19%。
在此背景下，三星、SK 海力士、美光等存储芯片巨头正纷纷加大资本投入，抓紧扩产。但从产能周期来看，存储芯片制造是典型的 「重资产、长周期」 行业。业内专家表示，芯片制造投资巨大，短期内难以快速扩张。一般来说，新建存储产能需要两年左右。当前许多存储芯片厂设备还存在瓶颈，实际产能释放可能更久。
与此同时，AI 算力需求的爆发催生了对 HBM（高带宽内存）、DDR5（第五代双倍速率内存） 以及 AI 企业级 SSD（固态硬盘） 等高附加值领域的巨量需求，相关产品利润远高于普通 DRAM。各家存储厂商虽纷纷扩产，但新增晶圆产能多数倾斜布局高附加值 HBM 等产品，导致消费级 DRAM 及 NAND 产能被挤占，实际有效供给增量稀缺。国际半导体产业协会 （SEMI） 中国总裁冯莉 3 月表示，2026 年 HBM 市场规模预计增长 58% 至 546 亿美元，占 DRAM 市场近四成，尽管三星、SK 海力士、美光三大原厂已将 70% 的新增产能倾斜至 HBM，但 HBM 产能缺口仍达 50% 至 60%。
高价态势或将延续
对于存储产品后续价格走势，多家机构判断，2026 年三季度存储芯片整体涨价幅度预计有所放缓，目前价格上涨对需求的抑制作用已经开始显现。
谨慎观点认为，消费端对高价的承受力已接近极限，价格见顶时间可能早于市场预期。集邦咨询的报告显示，2026 年第三季整体 DRAM 格局持续极度紧缺，但因消费级应用需求下修及高基期作用，合约价涨幅收敛，预计将季增 13%-18%。NAND 主要需求仍由 AI 推理与大型数据中心建设支撑，但因合约价格已达历史高点，消费端客户在需求放缓的情况下，对价格承受力已达极限，预估整体 NAND 合约价将季增 10%-15%，幅度较前几季明显缩减。
杰富瑞 （Jefferies）7 月 28 日发布的研报指出，目前存储芯片价格可能更接近峰值。虽然市场预计第三季度存储芯片价格将环比再上涨 25%-30%，但实际涨幅可能更温和，或在 15%-20% 之间。分析师认为，大部分价格上涨是由云服务提供商推动的，而消费电子产品制造商对进一步加价表现出疲态。2027 年进一步环比上涨的前景可见度较低，存储芯片价格见顶的时间可能早于预期。
也有部分机构认为，AI 需求驱动的结构性紧缺仍将支撑高价态势至少延续至 2027 年。国泰海通研报表示，存储行业已经成为制约 AI 基建的关键瓶颈，AI 需求驱动的结构性短缺贯穿全产业链，供需缺口仍在加深。2026 年第三季度合约价涨幅放缓并非周期见顶信号，长期来看存储价格的上涨趋势有望延续至 2027 年。
中信证券研报认为，在 AI 需求带动下，存储仍处于超级景气周期前中段，供不应求局面或至少持续至 2027 年。
瑞银 （UBS） 近日发布的行业调研显示，2026 年下半年，存储芯片价格上行空间进一步扩大。该机构将 DRAM 合约价格预期上调，预计第三季度环比上涨 32%，显著高于此前 17% 的预期；预计第四季度环比上涨 18%，此前预期上涨 12%。NAND 合约价格预期同样被上调，预计第三季度环比上涨 30%，此前预期上涨 17%；预计第四季度环比上涨 12%。
从供需结构来看，瑞银认为 DRAM 行业供需紧张局面将至少持续至 2028 年上半年。2027 年存储芯片需求预计同比增长 36.2%，而供给端增速仅为 19.3%，供需缺口难以弥合。若不考虑下游客户库存回补的缓冲效应，2027 年实际供需缺口将从 2026 年的-8.1% 进一步扩大至-13.6%，失衡程度达到过去 30 年来罕见水平。
对于消费电子市场而言，涨价压力将持续存在。业内人士指出，下半年发布的新一代旗舰手机、笔记本电脑价格或进一步上涨，消费者换机周期可能进一步拉长。上游零部件行业分化还将持续，具备库存优势和定价能力的企业将受益于价格上涨，非核心零部件厂商则可能继续面临需求收缩压力。
编辑：罗浩
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