（本文作者为 钱微镜，钛媒体经授权发布）
7 月 16 日，国产 DRAM 存储芯片龙头长鑫科技集团股份有限公司 （股票代码：688825，下称“ 长鑫存储”） 正式开启科创板申购。
根据公告，长鑫存储发行价为 8.66 元/股，初始发行股份 66.88 亿股，占发行后总股本 10%。超额配售选择权行使前，预计募集资金总额约为 579 亿元人民币，若全额行使，募资总额将达 666 亿元。
这一规模将超过 2020 年中芯国际的募资纪录，长鑫存储将创造科创板史上最大规模 IPO。
在各路资金的认购意向于 16 日这天如潮水般涌来前，长鑫存储早在 7 月 14 日晚就公告披露了战略配售的豪华阵容：既有国调基金、中国人寿国家级大型投资基金或险资机构参与，还有中微公司、通富微电等半导体产业链公司，以及腾讯、阿里云、小米、蔚来等下游企业。
一场由长鑫存储搅动的资本狂欢就此展开。几乎同时，行业研究机构也将这家中国 DRAM 龙头放在全球坐标系中进行再评估。
根据 Counterpoint Research 最新报告显示，按比特 （bit） 出货量计算，长鑫存储已占据全球 DRAM 市场约 9% 的份额，位列全球第四。过去十余年间，全球 DRAM 市场由三星、SK 海力士和美光三家跨国巨头垄断，长鑫存储能否一步步破局“ 三寡头”？
长鑫存储招股书显示，其在 2026 年上半年迎来业绩爆发，预计实现营业收入 1,100 亿至 1,200 亿元，归母净利润预计达 500 亿至 570 亿元。
其实，长鑫存储能在 2026 年中期冲刺 IPO，正是踩中了全球存储行业的“ 超级周期”，DRAM 市场供需缺口引爆产品价格飙升，但产业周期与业绩增势的红利，它又能吃多久？未来的增长故事要怎么讲？
需要跨越一道份额的鸿沟
不论是 Counterpoint Research 统计口径下的 9% 市占率，还是 CFM 闪存市场数据，2026 年第一季度长鑫存储销售收入达 73.09 亿美元，市场份额 7.7%。抑或长鑫存储招股书中援引 Omdia 数据显示，其全球市占率约为 7.67%。这些都真实地反映着这个全球 DRAM 市场排位第四的厂商与前三名的巨大差距。
2026 年第一季度，三星以近 40.5% 的市占率稳居龙头，SK 海力士以约 29% 排名第二，美光以约 22% 位居第三—— 三巨头合计掌控全球 DRAM 市场超 90% 的份额。
长鑫存储与上述海外三巨头之间横亘着一道份额的鸿沟，在筹谋破局前，它还需要跨越一道严峻的“ 生死线”。
Counterpoint Research 研究总监黄敏成回顾起 2008 年的中国台湾 DRAM 产业，彼时当地厂商整体份额跌破 15% 后，高昂的研发与设备投入无法收回，无力支撑下一代晶圆厂投资，最终份额一路溃败至 3% 左右，被迫退出主流赛道。
黄敏成分析，15% 的市场份额是企业实现长期可持续发展的关键门槛。而长鑫存储目前的全球市场份额约占 9%，预计到 2028 年才将提升至约 11%。能否突破 15% 的市场份额门槛，是产业市场与行业研究机构观察长鑫存储未来发展空间的重要指标。
2023 年-2025 年，长鑫科技分别实现营业收入 90.87 亿元、241.78 亿元、617.99 亿元；归母净利润也从-163.40 亿元扭亏为盈至 18.75 亿元。2026 年第一季度，公司实现营业收入 508 亿元，同比增长约 7 倍；归母净利润 247.62 亿元，同比增长 1688%。
业绩的爆发，受益于全球 DRAM 市场的供需缺口。但 TrendForce 集邦咨询分析师王豫琪给出监测数据显示，通用 DRAM 合约价在 2026 年 Q1、Q2 的涨幅分别达 93-98% 和 58-63%，预计 Q3 将续涨 13-18%。
“ 涨幅呈现收敛趋势。” 王豫琪告诉钛媒体，由于供给端仍缺乏新厂产能支持，全球 DRAM 供不应求的格局预计将延续至 2027 年。
为应对周期波动并确立规模优势，长鑫存储选择加速出货。招股书公开的规划显示，长鑫存储计划在 2030 年实现产能翻倍、2035 年产能增至当前三倍。其短期目标更为激进：通过上海、北京新建晶圆厂以及合肥大型产业集群建设，其月产能将由目前的约 32 万片晶圆提升至 2026 年底的 35 万片、2027 年的 42 万片、2028 年的 50 万片。
对比美光预计 2026 年底实现的月产能 37.5 万片，长鑫存储虽与之仅有微小差距，但这种产能追赶背后“ 用规模换生存” 的方式，能否真正助力它跻身全球 DRAM 主流核心竞争格局，仍未可知。
IPO 募资后更要讲好增长故事
长鑫存储本次在科创板 IPO 募集的 579 亿元人民币中，有大量资金将聚焦于技术主业与产能扩充：其中 75 亿元用于产线升级、130 亿元用于 DDR5/HBM 高端存储研发、90 亿元用于前沿技术攻关，另有超过 220 亿元明确用于设备购置及安装。
长鑫存储还试图在新的产品结构上讲故事。
过去，长鑫存储主要依靠 DDR4、LPDDR4 等中低端通用产品在本土市场进行国产替代，伴随募资到位，其产品结构将面临实质性转型：首先是 LPDDR5 和 DDR5 等高端产品占比预计将迅速接近其总产量的 75%；其次面向 PC 及服务器市场的 DRAM 产品已开始进入全球 OEM 客户供应链；再者长鑫存储正在推进 12 层堆叠 HBM3 的量产与验证，依托本土 AI 生态导入，目标是到 2028 年实现约 20 亿美元的 HBM 业务收入。
不过，在 HBM 高端存储这个 AI 时代最关键的赛道上，SK 海力士独占全球 58% 的市场份额，而长鑫存储的 HBM3 与之存在 2-3 年的代差。若如王豫琪分析的，全球 DRAM 供不应求格局延续至 2027 年，之后产能集中释放、AI 需求步入平稳期，长鑫存储在周期顶峰投入铺开的产能，会否在下行周期中变成折旧包袱，或将成为新的考验。
实际上，在实现产品结构转型的过程中，长鑫存储要缩短与海外巨头间的技术差距，回避不了来自先进半导体设备的获取难题。
Counterpoint Research 研究副总裁尼尔· 沙阿分析指出，由于无法获得先进光刻设备，长鑫存储只能加快探索垂直沟道晶体管和晶圆堆叠等新一代 3D DRAM 技术路线。
显然，如何与三星、SK 海力士、美光这些传统国际领先厂商，在技术工艺水平上赛跑，是长鑫存储冲刺 IPO 后仍需投入时间去解决的问题。
作为中国存储芯片的代表，长鑫存储要实现关键技术、产品的跃迁，一定需要跨越重重关卡，像设备之困便是其一。但尼尔· 沙阿认为，国际领先厂商或因兼顾昂贵设备的投资回报率，可能会推迟基础技术架构的切换，而长鑫存储或能被迫探索新的技术架构，将外部压力转化为技术突围的动力，实现对海外巨头厂商的追赶，甚至使中国成为下一代存储技术发展的重要风向标。（作者|钱玉娟，编辑|杨林）
更多精彩内容，关注钛媒体微信号 （ID：taimeiti），或者下载钛媒体 App