新华财经北京 7 月 29 日电 （胡晨曦）7 月 29 日，韩国存储巨头 SK 海力士公布了第二季度财报。数据显示，第二季度 SK 海力士运营利润同比大增 557%，达到 60.5 万亿韩元，低于预期的 64 万亿韩元；营收同比增长 257%，录得 79.3 万亿韩元，但低于预期的 84 万亿韩元；得益于一次性投资收益，该公司净利润飙升 1242%，增幅超过市场预期。
SK 海力士表示，继上季度上涨后，DRAM 和闪存芯片 （NAND） 价格持续大幅上涨。高附加值产品如高带宽内存 （HBM)、人工智能 （AI) 服务器 DRAM 和企业级固态硬盘 （eSSD） 的销售增长，提升了公司业绩。此外，SK 海力士称，随着存储芯片供应紧张状况得到缓解，且 AI 应用服务覆盖面持续拓宽，智能手机与 PC 业务的增长势头预计将逐步回暖。
受财报影响，SK 海力士在美股周二收跌 8.89% 后，盘后一度再跌 9％，但最终盘后收涨 1.7%；SK 海力士韩股开盘后冲高回落，一度涨近 5%，截至发稿，股价跌超 10%。
据业内分析，SK 海力士第二季度业绩未达到预期，主要归因于三个方面。
首先，由于用于 AI 加速器的高带宽内存 （HBM） 在公司总销售额中占比较高，相比竞争对手，其对营业利润的提振作用相对有限。近期半导体行业的利润激增主要由通用存储芯片价格飙升所驱动，而 HBM 销售占比高的企业从这一趋势中获益较少。
SK 海力士表示，HBM4 已达到客户要求的运行速度，并具备行业领先的能效和成本竞争力；公司已于第二季度开始批量出货，并计划在下半年扩大产能。此外，公司还宣布已于上半年向主要客户完成了下一代 HBM4E 产品的样品交付。
其次，尽管存储芯片价格已连续数月上涨并达到高位，但第二季度的涨幅有所放缓。SK 海力士财报显示，通用 DRAM 芯片价格环比涨幅约为 30%，NAND 闪存价格环比涨幅为 50% 至 55%，与第一季度的涨幅相比增速有所回落。
第三，SK 海力士与主要客户签订了长期供应协议 （LTA），锁定了销售价格，从而限制了其从市场价格上涨中获益的幅度。据业内人士透露，SK 海力士通过将约 50% 的营收与这些长期合同挂钩，确保了业务的稳定性。公司确认已与包括主要客户在内的约十家客户敲定了 LTA 谈判。
但 SK 海力士在电话会上表示，预计长期协议不会导致供应过剩。目前没有看到人工智能投资放缓的迹象，人工智能基础设施投资在 2027 年以后仍将保持稳健，并且将通过长期协议巩固其在 HBM 领域的领先地位。
展望三季度，SK 海力士预计 DRAM 出货量环比增长约 10%，NAND 闪存出货量则环比小幅增长，涨幅为低个位数 （1% 至 4%）。同时预计，2026 年全年资本开支将达到 40 万亿至 50 万亿韩元区间的高端水平。公司正在推进韩国忠清北道清州市新建的半导体工厂 M15X 大规模生产，并于 2027 年初加速韩国京畿道龙仁市 Fab1 工厂产能扩张。
据金融信息服务商 FnGuide 预测，SK 海力士今年第三季度的销售额和营业利润预计将分别达到约 100 万亿韩元和 78 万亿韩元。特别是随着英伟达计划启动新款 「Vera Rubin」AI 加速器的量产，SK 海力士将搭载于该芯片的 HBM4 产品的销量预计将从下半年起大幅增长。此外，随着 AI 智能体应用日益普及，存储器需求预计将随之上升；同时，新款智能手机机型的发布也有望进一步加剧存储器供应短缺的局面。
编辑：罗浩
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