财联社 2 月 12 日讯 （编辑 黄君芝）近段时间以来，「存储涨价风暴」 越刮越猛，美国存储芯片大厂美光科技屡获华尔街大行 「点名赞赏」、并上调评级和目标价。继瑞银、瑞穗、汇丰和德银之后，摩根士丹利成为了最新一家青睐美光的投行。
在周三 （11 日） 最新发布的研报中，大摩将美光的目标价从 350 美元大幅上调至 450 美元，并维持 「超配」 评级。与此同时，该行还将美光列为半导体板块首选标的。而这背后的原因也极其简单——人工智能 （AI） 需求太火爆！
「自美光上次发布业绩指引以来，存储芯片价格大幅上涨，所有终端市场均出现供应短缺局面，我们据此上调公司盈利预期。在 AI 需求保持强劲的背景下，HBM4 供应担忧、中国市场相关顾虑及资本支出担忧均不构成核心影响因素。」 报告称。
一直短缺 = 一直涨价
过去 12 个月，DRAM 市场已实现显著增长，但未来增长潜力仍值得期待。大摩认为，今年一季度将迎来新一轮大幅涨价，且 2026 年供应增长有限，难以缓解当前严重的供需短缺局面，预计全年价格将持续上行。
该行进一步解释称，全球存储芯片持续供应短缺推高了动态随机存取存储器 （DRAM）/NAND 闪存的价格——DDR5 现货价格年内大涨 30%、较 1 月合约价高出 130%。大摩强调，「这意味着主流产品价格可能再次翻倍」。
简单来说，只要供需缺口无法弥合，这场涨价风暴就不会停止，而 AI 需求的持续高增长又进一步扩大了供需缺口。
具体而言，大摩写道：
从需求端来看，当前存储芯片生产商库存处于极低水平，客户即使愿意支付溢价也难以获得足够的供应。无论是无法获得足够供应的消费 PC 厂商等，还是优先获得增量供应的核心客户，均无法建立库存——核心客户甚至愿意支付溢价，提前 30 天锁定供应；
从供应端来看，晶圆厂的产出增长极其缓慢，大摩预计到 2026 年底，包括合肥长鑫 （CXMT）、海力士 M15 和三星 P4L 在内，晶圆投片量的同比增速仅为 7%。这反映出晶圆厂产能短期内难以跟上需求。
AI 需求爆发式增长：预计到 2026 年底，英伟达季度营收将再增加 300 亿美元，AMD 数据中心业务季度营收将翻倍至 100 亿美元，博通半导体业务季度营收将翻倍至约 250 亿美元，再加上 Marvell 和英特尔合计增加的 10 亿美元季度营收，未来 12 个月存储行业需支撑的年化营收增量将接近 2000 亿美元——这一规模超过 2020 年整个逻辑半导体 （如 CPU、GPU） 市场的规模，且由于 HBM 对晶圆需求更高，DRAM 供应商需投入更多资本支出才能跟上需求增长。
「基于此，我们认为，仅仅因担忧 2027 年下半年供应增长而卖出股票为时尚早。」报告称。
涨价=盈利能力大增
这股 「涨价风暴」 带来最直接的好处就是盈利能力大增。大摩预计，美光在 2026 日历年 （CY26） 的每股收益 （EPS） 将飙升至 52.53 美元。
大摩在报告中进一步指出，美光将于本周晚些时候在投资者会议上发言，市场普遍预期其业绩将达到或超过第二财季初始时发布指引的上限——营收环比增长 37%，「这背后隐含的是平均销售价格 （ASP） 约 30% 的环比增长」。
大摩直言，这一预期过于保守，因为竞争对手的数据更加惊人：闪迪刚刚给出的指引显示其 NAND ASP 环比暴涨 60%，而覆盖三星和海力士的团队也分别模型预测 Q1 常规 DRAM 价格将上涨 48% 和 55%。
「值得注意的是，上季度初的情况与当前相似，美光当时并未提供新的具体指引，而是确认市场环境改善程度远超预期。我们预计本次会议美光将延续此类表述——若未提供具体指引，股价可能出现短期回调，但这将构成买入机会。」 报告补充道。
有鉴于此，大摩强调，当前价格走势为盈利预期持续上修奠定了基础，而市场大大低估了当前存储芯片市场的紧张程度。目前市场普遍预期，美光盈利将在 2027 年底达到峰值 （约 12 美元/股），而这一目标仅需平均售价 （ASP） 较当前指引水平上涨 20%-25% 即可实现。
该行分析师在报告中写道：「但实际情况是，2026 年一季度价格涨幅已远超指引隐含水平，因此我们判断，未来 18 个月美光盈利可能持续超出市场普遍预期。」
「此外，美光现金流表现强劲，预计每季度将产生约 100 亿美元现金流，一年内现金流规模将达到当前企业价值 （EV） 的 10%，再加上潜在的大额预付款，公司资产负债表现金储备将显著增加。」 他们补充道。
打破 「空头谣言」
首先，针对市场担忧的中国存储芯片公司可能带来的冲击，大摩认为这种担忧被夸大了。
其次是 HBM4 的供应问题。
AI 热潮推动了市场对高带宽内存 （HBM） 的需求激增。需要知道的是吗，HBM 通过堆叠 DRAM 制成，对于先进 AI 芯片——如英伟达设计的芯片——至关重要。美光与韩国的 SK 海力士、三星电子并称全球 HBM 「三巨头」，三家企业合计垄断了全球 97% 以上的 HBM 市场份额。
HBM 是美光增长故事的核心组成部分，也是市场愿意给予其更高估值的关键逻辑。但目前来看，DDR5 市场价格上涨势头更猛，已成为更具吸引力的市场。而市场对美光 HBM4 进展存在担忧，但大摩判断这不会对公司盈利产生负面影响。
该行指出，美光早在去年 12 月的财报中就表示，已完成 HBM4 产品认证，并预计在 2026 年第二季度 （C2Q26） 实现批量出货，这一时间表没有变化。
「即便美光在 HBM4 产能爬坡上遇到未预见的困难，HBM3e 仍占据市场主流，且拥有广泛的 ASIC 客户基础，不会对盈利造成负面影响。英伟达 HBM4 的早期主要量产份额历来属于海力士，这在预期之内，并不构成美光的基本面利空。」 报告称。
估值
报告显示，大摩采用了 「跨周期 （through cycle） 估值方法」 对美光进行估值，并直言 「基于传统的周期性思维来评估美光是错误的」。
具体而言，该行解释称：此前目标价 350 美元是基于 「25 倍周期内每股收益 （14 美元）」 测算的；而随着 2026 年每股收益预期突破 50 美元，我们将 「跨周期每股收益」 预期上调至 18 美元——这一水平虽较历史均值显著溢价，但仍不足未来 12 个月预期盈利的一半。
大摩总结称，因 HBM 带来的 AI 独特红利，大摩维持给予美光 25 倍的市盈率倍数。18 美元的跨周期 EPS 乘以 25 倍的估值，直接导向了 450 美元的新目标价。
最后，大摩还预演了如下三个场景：
牛市场景 （600 美元）：基于 30 倍 「跨周期每股收益」（20 美元） 测算。得益于规模效应、AI 产品占比提升及新产品成本优化，毛利率持续改善；HBM 晶圆强度 （WaferIntensity） 推动需求持续超过供应，美光在 HBM 领域巩固性能领先地位，价格压力进一步缓解。
基本预期 （450 美元）：基于 25 倍 「跨周期每股收益」（18 美元） 测算。18 美元的 「跨周期每股收益」 较过去 8 年平均水平显著溢价 （主要得益于 HBM 业务）；25 倍估值倍数反映市场对 HBM 机遇的乐观预期，处于半导体板块较高水平。
熊市场景 （216 美元）：基于 16 倍 「跨周期每股收益」（13.5 美元） 测算。2026 年底存储行业进入下行周期，年初需求强劲实则为客户库存积压；盈利峰值不及预期后，估值倍数大幅压缩。
