文 | 半导体产业纵横
过去十年，谈到存储芯片，行业人士的第一反应往往是：“ 又一轮周期来了。”
供需失衡→ 价格暴涨/暴跌→ 厂商扩产/减产→ 新一轮循环。这套“ 周期铁律” 几乎成了半导体行业的常识。
但从 2024 年开始，这套运行多年的逻辑，正在悄然失效。时间走到 2026 年，曾经熟悉的周期剧本彻底改写，整个存储行业，正同时发生五大关键变化。在此转变之下，存储芯片产业正经历一场从“ 规模驱动的周期博弈” 向“ 技术驱动的价值竞争” 的根本性转向。
变化一：存储芯片，周期失灵
如上图所示，根据以往的模式，存储器市场增长率呈现四年周期性波动，在 2017 年中期达到峰值，2019 年中期触底，2021 年下半年再次达到峰值，2023 年中期触底。按照这种模式，人们可能会预期峰值出现在 2025 年，谷底出现在 2027 年。
然而，令人费解的是，如果仅从增长率来看，峰值实际上已在 2024 年到来，而 2025 年上半年则出现了先下降后上升的趋势，打破了之前的周期性规律。从上图可以看出，两点显而易见：目前的出货量远高于前两个峰值，而且峰值尚未最终确定。
与前两轮周期不同，本轮上行不再依赖个人消费端需求，而是以企业级 AI 资本开支为核心。韩华投资证券分析师 Park Jun-young 在 2 月 24 日发布的一份报告中预测，2026 年全球存储市场规模将比上年增长 159%，达到 5749 亿美元，是 2018 年 1599 亿美元的 3.6 倍。 具体而言，他预测 DRAM 市场将同比增长 192%，达到 4399 亿美元，NAND 市场将增长 88%，达到 1350 亿美元。
总的来说，2024 年至今，AI 算力基建与 HBM 技术革命成为新引擎，直接改写了传统周期逻辑。
变化二：存储器需求，正在分层
周期失灵的背后，是存储芯片需求端的结构性重塑。
在高端市场，AI 产业化的加速落地直接引爆了存储需求。不同于传统服务器，AI 服务器需要承载大规模数据训练、高频次数据运算，对 HBM（高带宽存储）、高端 DDR5 内存及企业级 SSD 的需求量呈爆发式增长，单台 AI 服务器的存储需求量更是达到传统服务器的 8-10 倍。其中，HBM 凭借超高带宽、低延迟的核心优势，成功破解了 AI 运算中的“ 内存墙” 技术瓶颈，成为 AI 算力基建的核心战略级资源，目前 2026 年全球三大存储巨头的 HBM 产能已全部提前售罄，部分头部 AI 企业甚至提前签订 2027 年长期供货协议。
在中端市场，需求呈现稳中有升的产业化格局，核心聚焦两大场景：一是消费电子的迭代升级，智能手机、笔记本电脑等终端逐步淘汰老旧存储配置，DDR5 内存、PCIe 4.0 SSD 因性价比优势成为主流配置，形成持续的增量需求；二是工业控制、车载存储等工业级场景，这类场景对存储芯片的稳定性、兼容性要求较高，中端存储产品能够精准匹配其需求，成为产业增量的重要支撑。
而低端市场则呈现明显的收缩态势，核心以存量替换为主—— 随着高端、中端产品的普及，DDR4 内存、入门级 NAND 闪存等低端产品的市场需求持续下滑，头部厂商纷纷主动削减低端产能，将芯片制造产能、研发资源向高端、中端高附加值领域倾斜，避免低端市场的价格内卷。这种清晰的需求分层，直接推动整个存储产业的资源重构。
变化三：存储技术，持续演进
需求分层与周期重构，倒逼存储技术进入产业化迭代的快车道。
在传统存储产品方面，10nm 以下 DRAM 制造工艺正成为主流，并逐步向 7nm 工艺突破，通过“FinFET 架构+TSV 技术” 提升密度、降低功耗。3D NAND 堆叠层数突破 400 层后，“ 垂直堆叠” 难度加剧，厂商转向“ 水平扩展+架构优化”，比如三星 V-NAND 的阶梯式架构、Kioxia 的 BiCS 架构，同时引入“HKC（高 K 介质+金属栅）” 技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“ 层数竞赛” 转向“ 架构+工艺” 双重竞争。
然而，随着数据量的爆发增长，DRAM 及 NAND 在耗电量及数据访问速度上依旧无法跟上需求的脚步。他们在需要高速运算的应用场景中也有一些阻碍。
彼时，新兴技术正从边缘切入，重构存储生态。比如 MRAM（磁阻存储器） 兼具 SRAM 速度、DRAM 密度与 Flash 非易失性，已在车规级 MCU、工业控制器中商用，三星、台积电、英特尔等均在持续推进该技术进展。ReRAM（阻变存储器） 单元面积小，读写速度是 NAND 的 1000 倍，同时功耗可以降低 15 倍。CXL（Compute Express Link） 虽非存储介质，却是内存池化的关键。通过 CXL，服务器可将多个 DRAM/HBM 模块虚拟为统一内存池，大幅提升 AI 训练效率。Intel、AMD、三星正推动其成为下一代数据中心标配。不过，新兴存储并非要“ 取代”DRAM 或 NAND，而是填补其无法覆盖的“ 价值缝隙”。未来将是“ 传统+新兴” 的分层共存格局。
变化四：新兴先进封测技术的兴起
CoWoS 先进封装可谓 HBM 的黄金搭档。随着全球对于高性能计算 （HPC） 及人工智能 （AI） 芯片需求的持续增长，也推动了对于台积电 CoWoS（Chip on Wafer on Substrate） 先进封装产能的需求暴涨，虽然台积电持续扩大产能，但依然难以满足市场需求，成为了限制 HPC 及 AI 芯片产能的另一关键瓶颈。这也使得部分客户考虑寻求台积电 CoWoS 以外的替代方案，其中就包括英特尔的 EMIB-T 先进封装技术。
EMIB-T，即“EMIB with TSV（Through-Silicon Via）”，是在英特尔原有 EMIB（嵌入式多芯片互连桥） 技术基础上的一次关键升级。传统 EMIB 利用嵌入在封装基板中的硅桥，实现多颗裸晶之间的高速互连。
而 EMIB-T 则在硅桥中引入 TSV 通孔结构，使得信号可垂直穿越桥接芯片本体，实现更高密度、更短路径的垂直互连。
这种架构带来三大直接优势：
带宽提升：TSV 大幅缩短互连距离，显著提升数据传输速率，能够支持 HBM4 等超高带宽需求；延迟降低：桥接器内部的 TSV 路径比传统封装走线更短，有效降低数据通信延迟；功耗优化：短路径低电容，有助于降低整体系统功耗，符合高性能芯片的 PPA（功耗、性能、面积） 优化目标。
从设计角度看，EMIB-T 不再局限于简单的 2.5D 互连，而是向 3D 封装技术 Foveros 靠拢，使得在更大芯片尺寸下实现高密度集成成为可能，为未来异构计算平台提供灵活封装架构。
据悉，苹果公司与高通公司在新的职位招聘要求中，都明确列出了需要英特尔的 EMIB 与 Foveros 等先进封装技术经验，显示多家大厂正寻求 CoWoS 以外的替代方案。
FOPLP 也正凭借规模化优势快速崛起，被视为 CoWoS 的潜在继任者。FOWLP 基于圆形晶圆进行封装，由于晶圆形状为圆盘状，边缘区域难以充分利用，导致芯片放置面积较小。尺寸与利用率优势是 FOPLP 的核心竞争力。FOPLP 采用方形大尺寸面板作为载板，而非 8 英寸或 12 英寸晶圆。
以 600mm×600mm 面板为例，其面积是 12 英寸晶圆载板的 5.1 倍，单片产出芯片数量大幅增加。同时，FOPLP 的面积利用率超 95%，显著优于传统晶圆级封装的 85%，同等面积下面板可多容纳 1.64 倍芯片。基板面积增大持续降低成本，200mm 向 300mm 过渡节约 25% 成本，300mm 向板级封装过渡更可节约 66% 成本。
三星在先进节点中积极应用 FOPLP 技术，其用于可穿戴设备的 Exynos W920 处理器结合了 5 纳米 EUV 工艺与 FOPLP 方案；谷歌已在 Tensor G4 芯片中采用三星的 FOPLP 技术；AMD、英伟达等公司正与台积电及 OSAT 供应商合作，计划将 FOPLP 整合至其下一代芯片产品。中国大陆厂商也在积极布局 FOPLP 领域，华润微电子、成都奕斯伟、中科四合等已进入该领域，部分具备量产能力。
变化五：竞争格局从“ 三足鼎立” 到“ 多元博弈”
传统存储行业长期由三星、SK 海力士、美光三家主导 DRAM，三星、铠侠、西部数据、美光、SK 海力士主导 NAND，形成稳定的 “ 三足鼎立 + 五强割据” 格局，定价权、技术路线、产能节奏高度集中。但 2025—2026 年，随着 AI 需求爆发、先进封装独立成链、本土厂商技术突破，行业正式进入多极竞争的全新博弈阶段。
其中头部厂商正从“ 价格协同” 转向 “ 技术卡位”：三星、SK 海力士、美光已放弃低端价格战，全面转向 HBM、高端 DDR5、企业级 SSD、高堆叠 NAND 等高毛利赛道。铠侠、西部数据在 3D NAND 领域持续深耕，聚焦 BiCS、XL-Flash 架构优化，主攻数据中心大容量存储与消费级高端市场；国产存储厂商凭借成熟工艺与差异化架构，正式进入全球主流通路。
除众所周知的两大存储龙头企业外，还有诸多国产存储企业崭露头角。兆易创新作为全品类存储龙头，聚焦 NOR Flash、利基 DRAM 等领域，其 NOR Flash 全球市占率达 18%，稳居全球第二、国内第一，SPI NAND 国内市占率领先，同时与国内产业链深度协同，车规、工业级存储产品全面突破，成为国产存储“ 设计+生态” 协同发展的标杆。
江波龙作为“ 存储器第一股”，以 PTM 商业模式实现差异化突围，覆盖嵌入式存储、固态硬盘等四大产品线，其 eMMC 和 UFS 产品全球排名第四，自主研发的主控芯片已批量出货，累计小容量 NAND Flash 出货量超 1 亿颗，广泛应用于 IoT、汽车、安防等领域。
此外，澜起科技作为全球内存接口芯片领域的龙头企业，国内市占率约 40%；佰维存储凭借自研主控+封测一体化优势，在嵌入式存储领域占据国内领先地位。依托国家产业扶持与产业链协同，这些厂商加速产能扩张与技术迭代，搭配长电科技、通富微电等配套企业，构建起完整的国产存储产业链，逐步实现从细分突围到全面崛起，成为全球存储市场的重要一极。
存储芯片，涨势还能维持多久？
日前，TrendForce 集邦咨询全面上修第一季 DRAM、NAND Flash 各产品价格季成长幅度，预估整体 Conventional DRAM 合约价将从一月初公布的季增 55-60%，改为上涨 90-95%，NAND Flash 合约价则从季增 33-38% 上调至 55-60%，并且不排除仍有进一步上修空间。
具体到细分领域，2026 年第一季 PC DRAM 价格将季增 100% 以上，涨幅达历史新高。Server DRAM 价格上涨约 90%，幅度创历年之最。至于 Mobile DRAM 市场，第一季 LPDDR4X、LPDDR5X 合约价皆大幅上调至季增 90% 左右, 幅度同样是历来最高。在 NAND Flash 市场部分，2026 年第一季 Enterprise SSD 价格将季增 53-58%，创下单季涨幅最高纪录。
2026 年 1 月份，三星电子与 SK 海力士已向服务器、PC 及智能手机用 DRAM 客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨 60%-70%。闪迪计划在 3 月期间，将其用于企业级固态硬盘 （SSD） 的高容量 3D NAND 闪存芯片价格环比上调超过 100%，并要求客户支付全额现金预付款。力成、华东、南茂等存储封测厂产能利用率近乎满载，陆续调升封测价格，调幅上看三成，后续不排除启动第二波涨价。
至于存储芯片，涨势还能维持多久？不同的机构、公司均发布了相关预测，指向 2026 年未有消退迹象。
美光科技公司表示，内存芯片短缺在过去一个季度愈演愈烈，供应紧张状况将持续到 2026 年之后。
新思科技 CEO Sassine Ghazi 透露，顶级制造商的大部分内存用于人工智能基础设施，许多其他产品也需内存，导致其他市场面临短缺，因无剩余容量可用。 Ghazi 还称，存储器芯片价格上涨及短缺将持续到 2027 年。虽然芯片公司正扩大生产规模，但至少需两年才能实现，这也是产能紧张持续的原因之一。
瑞银 Nicolas Gaudois 最新报告显示，DRAM 预计供应短缺将持续到 2027 年第一季度，其中 DDR 需求增长 20.7%，远超供应增长。NAND 短缺情况预计延续至 2026 年第三季度。
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