2 月 26 日晚，民德电子（300656.SZ） 抛出不超过 10 亿元定增预案，拟将 7 亿元投向控股子公司广芯微特色高压功率半导体器件及功率集成电路晶圆代工扩产项目，3 亿元用于补流。
公司试图借产能扩张卡位高压功率半导体赛道，其产品技术进展与扩产规划形成对应，但核心矛盾凸显：一期产能仍处于爬坡阶段、未达规划目标，便新增超 50% 产能，消化能力待考。
同时，2022 年定增募投项目投产后未达预期效益，成为本次扩产的显性阴影；公司 2024-2025 年持续亏损，在基本面承压背景下推出巨额融资，激进扩张背后的风险不容忽视。
扩产节奏与产能消化藏隐忧
根据公告，公司拟发行股份募资不超过 10 亿元，其中 7 亿元用于特色高压功率半导体器件及功率集成电路晶圆代工项目，剩余 3 亿元全部用于补充流动资金。
从项目实质来看，此次扩产并非新建主体，而是对公司控股子公司广芯微的现有业务进行产能扩容，核心是提升高压、大功率功率半导体的代工能力。按照公司披露，核心项目达产后将新增月产 6 万片的代工能力，产品覆盖高压 IGBT、特高压 VDMOS、700V 高压 BCD 等主流品类。
从产能规划对比看，本次扩产的节奏显得颇为激进。民德电子在调研会上表示，广芯微一期项目规划为 6 英寸硅基功率器件月产 10 万片，截至 2025 年年底，一期实际产能仅为 4 万片/月，仍处于典型的产能爬坡阶段，距离满产仍有较大差距。
在一期产能未达预期、尚未实现稳定盈利的情况下，公司便计划新增 6 万片/月产能，相当于在现有爬坡产能基础上直接扩充 50% 以上，未来产能消化能力成为首要疑问。
公司在近期调研中释放的产品进展，试图为扩产提供支撑：700V 高压 BCD 产品工程阶段取得重大突破，计划 2026 年释放产能；与芯微泰克合作的 1200V 背道激光退火超薄片 IGBT 进入工程批试样。技术突破与扩产规划形成对应，看似具备落地基础，但产能释放与市场需求、客户验证之间的时间差，仍然具备不确定性。
更值得警惕的是，民德电子历史募投项目的失速表现，为本次扩产蒙上阴影。2022 年公司曾完成 5 亿元定增，投向碳化硅功率器件研发产业化、高端沟槽型肖特基二极管产能提升两大项目，最终均未达到预期效益。
其中，碳化硅功率器件项目 2025 年仅实现净利润 41.93 万元，几乎处于微利状态；高端沟槽型肖特基二极管项目更连续两年亏损，2024 年、2025 年分别亏损 403.16 万元、715.24 万元，持续拖累公司业绩。
业绩承压下的资本押注
公开资料显示，民德电子成立于 2004 年，早期主营条码识读设备，2017 年上市后急于寻找第二增长曲线，正式切入半导体赛道：2018 年收购泰博迅睿，拿下半导体分销渠道；2020 年控股广微集成，进入功率半导体设计环节；同年参股硅片企业晶睿电子，锁定上游材料；2021 年两次增资参股广芯微，布局晶圆代工；2022 年参股芯微泰克，补齐超薄芯片背道加工能力。
短短四年间，公司完成从设计到制造、从材料到封测的全链条卡位，布局半导体的决心可见一斑。
密集的资本运作曾为公司带来短暂的业绩增长，2020-2022 年，民德电子净利润保持连续增长，半导体业务也成为公司对外宣传的核心亮点。
但这份增长并未持续，从 2023 年开始，公司业绩出现断崖式下跌，当年归母净利润仅 1256 万元，同比下跌 86%；2024 年，公司业绩直接由盈转亏，归母净利润亏损 1.14 亿元；2025 年业绩预告显示，公司预计归母净利润亏损 7000 万元至 1.3 亿元，扣非净利润亏损 1.5 亿元至 2.1 亿元，亏损面持续扩大。
对于亏损原因，公司将其归结为四点：一是广芯微 2025 年 1 月并表后，处于产能爬坡期，固定成本高企导致亏损；二是泰博迅睿受市场环境影响压缩规模，叠加减值计提亏损扩大；三是联营企业晶睿电子、芯微泰克均因价格或产能问题亏损，权益法核算拖累利润；四是非经常性损益约 8000 万元，主要为合并广芯微的投资收益与业绩补偿款，并非主营业务盈利。
在主营业务持续亏损、核心资产仍处投入期、历史募投项目不及预期、市值不足 50 亿的背景下，民德电子仍推出 10 亿元巨额定增，本质上是一场押注功率半导体赛道的豪赌。
对于民德电子而言，如何在产能爬坡与市场消化之间找到平衡，兑现募投项目的经济效益，将是公司未来必须回答的核心问题。(文 | 公司观察，作者 | 周健 ，编辑 | 曹晟源)
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